SSP4N60B Transistor N-Mosfet 600V 4A 100W TO220-3 sin aislar

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Transistor MOSFET N-Ch 600V 4A

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Descripción

Transistor SSP4N60B TO220-3

  • Transistor MOSFET
  • Carcasa TO-220-3
  • Número de canales 1
  • Transistor N-Channel
  • Tensión disruptiva entre drenaje y fuente 600V
  • Corriente de drenaje continua 4A
  • Tensión entre puerta y fuente 30V
  • Temperatura de trabajo – 55 C..150ºC
  • Potencia 100W

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