Descripción
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS:
- Fabricante ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
- Tipo de transistor N/P-MOSFET
- Polarización unipolar
- Tensión drenaje-fuente 40/-40V
- Corriente del drenaje 5/-4A
- Poder disipado 1.28W
- Carcasa SO8
- Tensión puerta-fuente ±20V
- Resistencia en estado de transferencia 45/30mΩ
- Montaje SMD Soic-8
- Carga de puerta 17/8.9nC
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