Descripción
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS:
- Transistores de empalme bipolar (BJT) RoHS:
- Detalles Estilo de montaje: SMD/SMT
- Transistor: NPN
- Voltaje colector-emisor: 50 V
- Tensión colector-base: 60 V
- Voltaje emisor-base: 7 V
- Voltaje de saturación colector-emisor: 0.4 V
- Corriente CC máxima de colector: 0.15 A
- Disipación de potencia 300 mW
- Producto para ganar Ancho de banda fT: 180 MHz
- Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
- Temperatura de trabajo máxima: 150 C
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