Descripción
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS:
- Fabricante Infineon (IRF)
- Tipo de transistor N-MOSFET
- Polarización unipolar
- Tensión drenaje-fuente 200V
- Corriente del drenaje 31A
- Poder disipado 200W
- Carcasa TO220AB
- Tensión puerta-fuente ±30V
- Resistencia en estado de transferencia 82mΩ
- Carga de puerta 70nC
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