Descripción
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS:
- Fabricante Infineon (IRF)
- Tipo de transistor N-MOSFET
- Tecnología HEXFET®
- Tensión drenaje-fuente 200V
- Corriente del drenaje 35A
- Poder disipado 300W
- Carcasa TO247AC
- Tensión puerta-fuente ±20V
- Resistencia en estado de transferencia 40mΩ
- Carga de puerta 234nC
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